檢索結果：共15筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and year="102"
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本論文主要探討利用微波加熱金屬，快速交聯其上方聚乙烯苯酚(PVP)閘極絕緣層之方法。首先，我們先在常壓下使用高瓦數微波方式交聯聚乙烯苯酚，發現可以做出有特性之元件。因此，我們發現微波應用在交聯聚乙烯…
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本論文之主要研究為利用自組裝單分子層薄膜 ( SAM ) 修飾有 機薄膜電機體元件的氧化銦錫 ( ITO ) 電極表面;藉由不同官能基之 自組裝單分子層薄膜分子成長於氧化銦錫( ITO ) 基板…
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本論文利用連續式電漿，以層層交錯的方式沉積丙烯酸與苯胺兩種分別具有羧基與胺基之前驅物，製備含胺基與羧基之多層薄膜，於矽晶圓與聚苯乙烯兩種不同的基材，並利用物理化學方法探討電漿功率、沉積時間等電漿參數…
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本實驗使用脈衝直流磁控濺鍍系統在200℃及400℃二種環境下鍍製出兩個系列共10批Cr-Si-C-N奈米複合薄膜，鍍製時通入四甲基矽烷(TMS)為前驅物作為薄膜內矽與碳的來源，在製程中逐漸提升TMS…
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一般於微電子封裝中，人們會加入一層阻障層來抑制錫鬚的生長，這錫鬚之生成會導致電子器件之短路及失效，故這層阻障層可以防止銅錫之間反應進而產生介金屬化合物，而此銅錫介金屬化合物為錫鬚生長的主要驅動力之一…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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在本研究中是運用DC磁控濺射法將磁致伸縮Fe62Co19Ga19薄膜沉積在矽(100)基板上，以作為量測用的樣品，且其在實驗中長度(L)是平行於x軸而寬度(w)是平行於y軸。然而在傳統的磁致伸縮測量…
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本論文主要內容在於研究五苯環有機薄膜電晶體搭配底接觸式結構之元件製作以及其電特性分析與改善。首先，以傳統的底接觸式結構製作固定元件通道寬度、不同元件通道長度之有機薄膜電晶體元件，發現元件特性會隨著通…
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在OLED (有機發光二極體)顯示器，因為熱蒸鍍成熟技術，被廣泛運用有機薄膜沉積的製程中，由於有機材料相當昂貴，而材料利用率僅有10%~15%，使OLED 原件在開發過程中，即設立高規格的門檻，且沉…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…